Diodes Laser Pulsées

Manufacturer: Excelitas Technologies
HTTS ref.: HTS-OPT-0010
HTDS ref.: DIODES LASER PULSEES
Division: Optoélectronique

Gallery and technical drawings

Description

Nos diodes laser PGA et PGEW à 905 nm sont conçues pour surperformer dans des environnements difficiles. Développées par croissance épitaxiale sur un substrat GaAs, peut comporter jusqu’à 4 cavités. Cette conception à plusieurs cavités multiplie la puissance de sortie par le nombre d’épi-couche permettant d’atteindre des puissances optiques de 300W crête. Les diodes laser PGA et PGEW présentent des zones d’émission de 75 µm à 225 µm, en épi-cavité simple (PGA/PGEW), double (DPGA/DPGEW), triple (TPGA/TPGEW) ou quadruple (QPGA/QPGEW). A chaque application sont boitiers avec six boitiers disponibles dont les habituels TO18 et TO56. Les PGEW correspondent à des boitiers plastique T1 3/4 (Type TO) destinées aux applications grand volume. L’espacement transversale des zones actives concentre davantage de puissance optique sur une plus petite surface ce qui facilite le couplage de la diode dans une fibre. HTDS propose également les diodes laser pulsées SMD à 905 nm, constituées de matrices de quatre canaux en particulier pour les applications LIDAR. Suivant le modèle, les canaux peuvent être adressés soit simultanément pour du LIDAR flash ou individuellement pour les applications à temps de vol. La diode laser C86119EH est une diode laser à 1064 nm conçu par procédé épitaxial sur substrat inGaAs/AlGa offrant une efficacité élevé et un seuil bas. Elle est utilisée pour simulée l’émission d’un laser Nd:YAG et en LIDAR atmosphérique. Nos diodes laser PVG à 1550 nm sont idéales pour les applications « eye-safe ». Disponibles en plusieurs types de boitiers, elles disposent de plusieurs largeur de zone d’émission : 150 µm, 300 µm et 350 µm. Ces diodes sont conçues en utilisant les dernières techniques de croissance épitaxiale (MOCVD) et tire parti de l’augmentation significative du niveau maximum d’émission des laser AlGaAs et InGaAs permit par la commission électrotechnique internationale (CEI). Elles peuvent fonctionner à des puissances moyennes relativement élevées dans des conditions de classe I. Il appartient bien évidemment à l’utilisateur de faire certifier son équipement en classe I et de s’assurer qu’il répond aux exigences de son organisme de réglementation local approprié.

Nos diodes lasers pulsées sont fabriquées au Canada, elles sont destinées à des applications nécessitant hautes performances, forte puissance et fiabilité, comme les applications militaires ou aérospatiales. La gamme se décline sur différentes puissances d’émission (simple ou multi-stack et/ou simple ou multi-cavité), à 905 nm, 1060 nm et 1550nm avec des boitiers SMD et TO hermétiques.Outre une large gamme de diodes laser fibrées catalogue, nous proposons également une personnalisation pour relever les défis de vos applications spécifiques en photonique.

Diodes laser pulsées 905 nm, 1060 nm et 1550 nm

Key features

905 nm, 1060 nm et 1550 nm
Multi-cavités
Forte puissance
Excellente stabilité

Technical specifications

-30: -20 -10 0 10 20 30 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50
Note: These voltage drops are merely to overcome the inductance of the package and do not include the series
PGAx1: Simple puce laser – Simple épi-cavité
RIGHT: Far Field
DPGAx1: Simple puce laser – Double épi-cavités
Device: Description stripes
Pulsed: P
QPGAx1: Simple puce laser – Quatre épi-cavités
QPGAx2: Double puce laser – Quatre épi-cavités
QPGAx3: Triple puce laser – Quatre épi-cavités
TPGAx1: Simple puce laser – Triple épi-cavités
TPGAx2: Double puce laser – Triple épi-cavités
90 LEFT: Radiant
Table 1: Maximum Ratings
Table 2: Generic Electro Optical Specifications at 23ºC
Table 3: 75μm Stripe Width Family: Operating Characteristics at TOP = 23ºC, iFM = 10A, tW = 100ns, prr = 1kHz
Table 4: 225μm Stripe Width Family Operating Characteristics at TOP = 23ºC, iFM = 30A, tW = 100ns, prr = 1kHz
100 LEFT: Peak Radiant
60 RIGHT: Spectral
915 LEFT: Center
Warranty: diagnostics, medical, industrial, and safety and security applications,
PGEW1SxxH: simple puce laser – Simple épi-cavité
PVGR1S12H: 14W
PVGR1S14H: 15W
PVGR4S12H: 58W
PVGS1S06H: 7W
PVGS2S06H: 14W
Parameter: Units
Telephone: (+1) 450 424 3300 Germany Telephone: (+65) 6770 4366 (Customer Service)
Toll-free: (+1) 800 775 6786 Telephone: (+49) 611 492 430 Fax: (+65) 6778-1752
90 90 LEFT: Far Field
DPGEW1SxxH: Simple puce laser – Double épi-cavités
QPGEW1SxxH: Simple puce laser – Quatre épi-cavités
TPGEW1SxxH: Simple puce laser – Triple épi-cavités
Duty factor: du 0.1 %
Références: Puissances typiques
stripe width: stripe width
Emitting Area: 225 X 1 225 X 5 225 X 10 225 X 15 225 X 175 225 X 200 225 X 345 225 X 400 μm
Pulse duration: tW 1 μs
Stackable chip: S
75 μm (3 mils): 225 μm (9 mils)
Angle [degrees]: Angle [degrees]
Package Options: C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y C, F, R, Y
RoHS Compliance: About Excelitas Technologies
RoHS compliance: H
at 10 A, 100 ns: at 30 A, 100 ns
# of Laser chips: 1 1 1 1 2 2 9 3
905 nm wavelength: G
Double chip stack: 2
Preferred Package: S, U S, U S, U S, U S, U S, U S, U S, U
Single chip stack: 1
Triple chip stack: 3
www.excelitas.com: Page 9 of 9 PGA Multi-epi Series Rev.2019-05
Double active area: D
Optional C package: C
Optional F package: F
Optional R package: R
Optional U package: U
Temperature [⁰C]: F-number
Triple active area: T
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG 8 Tractor Road
Preferred S package: S
Preferred Y package: Y
Storage temperature: TS -55 105 °C
Peak reverse voltage: VRM 2 V
# of Emitting stripes: - 1 2 3 4 6 8 9 12
Electronic equipment.: beginning with PerkinElmer, EG&G, and RCA. The constant throughout
Operating temperature: TOP -55 85 °C
Quadruple active area: Q
10 A / 100 ns / 75 µm: 30 A / 100 ns / 225 µm
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Singapore, Pte. Ltd.
[email protected]: [email protected]
± 10 nm spectral width: A
Vaudreuil-Dorion, Quebec: Wenzel-Jaksch-Str. 31 Singapore 627969
Cone Half angle [degrees]: Wavelength [nm]
Minimum Optical Power at iFM: POmin 20 46 70 95 140 180 210 270 W
Typical Optical Power at iFM: POtyp 23 50 75 100 150 200 225 300 W
Relative Radiant Intensity [%]: Relative Radiant Intensity [%]
Typical Forward Voltage at iFM: VF 4.5 9 13 18 26 38 39 57 V
Maximum Peak Forward Current iFM: 30 30 30 30 30 30 30 30 A
Relative Radiant Intensity [%]10: Relative Radiant Intensity [%]10
Wavelength temperature coefficient: Δλ/ΔT 0.25 nm/°C
0.003“ wide laser stripe (75 μm): 03
Substances (RoHS) in Electrical and: with optoelectronic sensors and modules for more than 45 years
0.009“ wide laser stripe (225 μm): 09
Soldering for 5 seconds (leads only): +260 °C
Typical Lasing Threshold Current iTH: 1.5 1.75 1.75 1.75 1.75 1.75 1.75 1.75 A
built to be fully compliant with the: innovative, customized solutions to meet the lighting, detection and other
Center wavelength of spectral envelope: λC 895 905 915 nm
European Union Directive 2011/65/EU –: high-performance technology needs of OEM customers.
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80: 0.1 1 10 100
‘x’ = package type. Preferred package: S-type
Canada J7V 8P7 D-65199 Wiesbaden Telephone: (+65) 6775 2022 (Main number)
Spectral bandwidth at 50% intensity points: Δλ 5 nm
Restriction of the use of certain Hazardous: Excelitas has a long and rich history of serving our OEM customer base
QPGAx1 Single chip laser – Quad epi-cavity: 4 30 W 100 W
This series of laser diodes are designed and: Excelitas Technologies is a global technology leader focused on delivering
PGAx1 Single chip laser – Single epi-cavity: 1 8 W 23 W
DPGAx1 Single chip laser – Double epi-cavity: 2 16 W 50 W
TPGAx1 Single chip laser – Triple epi-cavity: 3 24 W 75 W
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90: 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
double, triple, or quadruple epi-cavity versions.: Key Features
The forward voltage of the device is a combination of: a static voltage drop resulting from band gaps and material
Beam spread (50% peak intensity) parallel to junction plane: Θ|| 10 degrees
QPGAx2 Double chip laser – Two stacked chips, quad epi-cavity: 8 60 W 200 W
Beam spread (50% peak intensity) perpendicular to junction plane: Θ| 25 degrees
come as single (PGA), double (DPGA), triple (TPGA), or quadruple:  Range of single element and stacked
Additionally where fiber coupling applications are concerned, the:  Weapon simulation
QPGAx3 Triple chip laser – Three stacked chips, quad epi-cavity: 12 90 W 300 W
TPGAx2 Double chip laser – Two stacked chips, triple epi-cavity: 6 45 W 150 W
chips of the PGA family feature stripe widths of 75 and 225 μm and: early 1990s
designs as well as 5.6 and 9 mm CD packages and ceramic substrates.:  Laser safety curtains (laser scanning)
transverse spacing of the EPI cavity active areas concentrates more:  Proximity Sensing
Excelitas Technologies’ PGA Series of single- and multi-epi 905 nm: the output power from a single epi-
pulsed semiconductor lasers consists of hermetically packaged devices: cavity
Since pulse widths in applications have decreased and optical coupling:  Infrared night illumination
plane. The power output shows an excellent stability over the full MIL:  Small emitting areas increases fiber
standard package options are available, including the traditional stud:  Laser range finding
(QPGA) epi-cavity version, which additionally can be stacked to further: devices
Recognizing that different applications require different packages, six: Applications
perpendicular to chip surface and a 10° beam spread within the junction: different applications