Photodiodes APD Optimisées NIR

Manufacturer: Excelitas Technologies
HTTS ref.: HTS-OPT-0023
HTDS ref.: PHOTODIODES APD OPTIMISEES NIR
Division: Optoélectronique

Description

Les C30954EH, C30955EEH et C30956EH sont des photodiodes à avalanche Silicium dont leur structure permet une amélioration de la détection vers 1060 nm. Elles ont un faible bruit, une faible capacité et un temps de montée et de descente rapide. Ces APD sont disponibles en version standard dans des boitiers hermétiques TO5 pour les photodiodes avec la surface active la plus petite (C30954EH et C30955EH) et en boitier TO8 pour le C30956EH. Pour simplifier de nombreux besoins de conception ces APD sont proposées en module, avec pré-amplificateur et TEC intégré. Nous sommes à votre écoute si vous avez des besoins d’optimisation sur la tension de fonctionnement et de claquage ou encore sur la sensibilité du détecteur.

Nous proposons des photodiodes à avalanche (APD) Silicium optimisée à 1060 nm, avec une efficacité quantique pouvant atteindre 40% à cette longueur d’onde.

Idéales pour des mesures précises et rapides dans le domaine du proche infrarouge.

Key features

Haute efficacité quantique à 1060 nm
Très rapide
Faible capacitance
Large plage de température de fonctionnement

Technical specifications

in: 1 2 1 2 1.1 2.2 pA/√Hz
-60: -40 -20 0 20 40 60
Vop: 2.4 2.4 2.4 V/°C
Gain: M 120 100 75
Q.E.: %
Shape: Circular Circular Circular
Package: TO-5 TO-5 TO-8
C30954EH: 0.8
C30955EH: 1.5
C30956EH: 3.0
Parameter: Symbol Minimum Typical Maximum Unit Remarks/Conditions
Soldering: 260 °C 5 seconds, leads only
Telephone: (+1) 450 424 3300 Germany Telephone: (+65) 6770 4366 (Customer Service)
Toll-free: (+1) 800 775 6786 Telephone: (+49) 611 492 430 Fax: (+65) 6778-1752
at 900 nm: 85 85 85
at 1060 nm: 36 40 40
at 1150 nm: 5 5 5
peak value: 50 (For 1 second duration, non-repetitive)
Capacitance: Cd 2 4 3 5 10 12 pF
Useful area: A 0.5 1.77 7 mm
Références: Diamètre photosensible(mm)
average value: IF 5 Continuous operation
Useful diameter: d 0.8 1.5 3 mm
10% to 90% points: tr 2 3 2 3.5 2 3.5 ns
90% to 10% points: tf 2 3 2 3.5 2 3.5
Breakdown Voltage: Vbr 300 375 475 315 390 490 325 400 500 V
Series resistance: Rs 15 15 15 Ω
www.excelitas.com: Page 11 of 11 C30954EH-955EH-956EH Series-Rev.1.1-2016.09.10
Total Dark Current: Id 50 100 100 200 100 200 nA
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG 8 Tractor Road
Storage Temperature: Tstg -60 100 °C
Reverse Bias Current: 200 μA
Operating Temperature: To -40 70 °C
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Singapore, Pte. Ltd.
[email protected]: [email protected]
Vaudreuil-Dorion, Quebec: Wenzel-Jaksch-Str. 31 Singapore 627969
For incident radiation at angles: , but , the photosensitive surface is partially illuminated
Nominal field of view α (see Figure 10): FoV 110 104 135 Degrees
Canada J7V 8P7 D-65199 Wiesbaden Telephone: (+65) 6775 2022 (Main number)
Nominal field of view α’ (see Figure 10): 125 130 150
Typical Responsivity at 900 nanometers [A/W]120: 170 220 270 320 370 420 470 520