Module photodiodes à avalanche préamplifiés

Constructeur: Excelitas Technologies
Réf. HTTS: HTS-OPT-0039
Réf. HTDS: MODULE PHOTODIODES A AVALANCHE PREAMPLIFIES
Division: Optoélectronique

Description

HTDS propose en standard quatre types de modules : : Module intégrant un transimpédance très bas-bruit (50MHz ou 200MHz) avec boîtier TO8 adapté pour les photodiodes à avalanche IngAas et Si; les modules spécifiés ‘E’ sont optimisés pour avoir une grande dynamique : Module spécifique intégrant une photodiode à avalanche optimisée UV C30950 : Module intégrant un transimpédance avec boîtier TO1 pour les photodiodes à avalanche Si Les détecteurs que nous avons sélectionnés pour intégrer les modules sont : C30902EH : Photodiode à avalanche silicium avec un diamètre actif de 0,5mm optimisée 900nm C30817EH : Photodiode à avalanche silicium avec un diamètre actif de 0,8mm optimisée 900nm C30954EH : Photodiode à avalanche silicium avec un diamètre actif de 0,8mm optimisée 1060nm C30956EH: Photodiode à avalanche silicium avec un diamètre actif de 3 mm optimisée1060nm C30645EH : Photodiode à avalanche InGaAs avec diamètre actife de 80µm C30662EH : Photodiode à avalanche InGAs avec diamètre actif de 200µm Tous nos modules peuvent recevoir la qualification MIL-PRF-38534, sont fabriqués au Canada (non ITAR) et sont RoHs. HTDS propose aussi des développements spécifiques sur cahier des charges

Moins de bruits, moins de capacitance parasites... et un montage simplifié

Caractéristiques

Quatres modules disponibles en standard
Photodiodes à avalanche Silicium et Ingaas
Intégration simplifiée
RoHs et non soumis à la réglementation ITAR

Spécifications techniques

Vn:  V  100kHz
R8AH: R5BH Models Models Models
Model: APD Nominal Wavelength APD Used Active Comments
50 MHz: -6 50 MHz
C3919E: C30817
C30950EH: C30817
naverage: 3dB
Parameter: Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Units
Telephone: (+1) 450.424.3300 Germany Telephone: (+65) 6775 2022 (Main)
Toll-free: (+1) 800.775.6786 Telephone: (+49) 611 492 430 Telephone: (+65) 6770 4366 (Cust. Svc.)
at 830 nm: 14 17 35 55 fW/Hz
at 900 nm: 55 90 55 80 fW/Hz
at 1060 nm: 90 125 100 150 fW/Hz
at 1300 nm: 150 180 250 375 fW/Hz
at 1550 nm: 130 160 220 330 fW/Hz
nnormalize: naverage 
Active area: 0.03 0.005 mm²
C30659-900-: C30659-900- C30659-1060 C30659-1550 C30659-1550E
Detector Type: (C30817EH APD) (C30902EH APD)
Detector type: (C30662EH APD) (C30645EH APD)
operating, TA: -40 70 -40 70 -40 70 -40 70 -40 70 ˚C
peak (Note 4): 50 50 50 mW
peak (Note 5): 4 1000 kW/cm²
storage, Tstg: -50 100 -50 100 -50 100 -50 100 -50 100 ˚C
Canada J7V 8P7: D-65199 Wiesbaden Singapore 138628
at TA = +70˚C: 600 350 600 100 100 V
at TA = -40˚C: 300 210 300 50 50 V
Active diameter: 0.2 0.08 mm
Bandwidth range: 50 200 MHz
C30659-1060-3AH: C30956
C30659-900-R5BH: C30902
C30659-900-R8AH: C30817
Frequency [MHz]: Frequency [MHz]
Test conditions: Case temperature = 22˚C, Vamp = ±5 V, HV = Vop (see Note 1), RL = 50 Ω AC coupled
Wavelength [nm]: Wavelength [nm]
– With Si APD: 400 to 1100 nm
C30659-1060-58BH: C30954
C30659-1060-R8BH: 200 MHz C30954EH 0.8 mm
C30659-1550-R2AH: 50 MHz C30662EH 0.2 mm
Output impedance: 33 40 50 33 40 50 Ω
average (Note 3): 0.1 0.1 0.1 2 2 mW
C30659-1500-R08BH: C30645
C30659-1550E-R2AH: 50 MHz C30662EH 0.2 mm
www.excelitas.com: Page 9 of 9 C30659 Series-Rev.1-2013.04
C30659-1550E-R08BH: 200 MHz C30645EH 0.08 mm
Material Bandwidth: Response Diameter
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG 1 Fusionopolis Walk, #11-02
Responsivity [kV/W]: Responsivity [kV/W]20
– With InGaAs APD: 1100 to
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Singapore, Pte. Ltd.
System bandwidth, f-3dB: 40 50 175 200 MHz
DC output offset voltage: -1 0.25 1 -1 0.25 1 V
Vaudreuil-Dorion, Quebec: Wenzel-Jaksch-Str. 31 Solaris South Tower
Preamplifier bias voltage: ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 V
[email protected]: [email protected] [email protected]
Detector type (Silicon APD): (Silicon APD) (Silicon APD) (InGaAs APD) (InGaAs APD)
Negative supply current (V-): 10 20 10 20 mA
Positive supply current (V+): 20 35 20 35 mA
 Typical power consumption: 150 mW
Averaged from 100 kHz to f-3dB: 45 55 20 30 nV/Hz
Vop for specified responsivity: 40 Note 1 70 40 Note 1 70 V
Rf (Internal feedback resistor): 68 18 kΩ
C30902SH-TC et DTC (mode Geiger): C30902
For incident radiation at angles: , but , the photosensitive surface is partially illuminated.
Normalized output noise voltage [V]: Normalized frequency response [dB]
C30659-1550-R2AH et C30659-1550E-R2AH: C30662
Recovery time after overload (Note 4): 150 150 ns
C30659-1550-R08BH et C30659-1550E-R08BH: C30645
Nominal field of view α (see Figure 7): 145 145 Degrees
Temperature sensor sensitivity (Note 2): -1.8 -2.1 -2.4 -1.8 -2.1 -2.4 mV/˚C
Nominal field of view α’ (see Figure 7): 146 146 Degrees
Output voltage swing (1 kΩ load) (Note 5): 2 3 2 3 V
Output voltage swing (50 Ω load) (Note 5): 0.7 0.9 0.7 0.9 V
Temperature coefficient of Vop for constant gain: 0.2 0.2 V/˚C
and greater resilience when exposed to higher optical power densities.:  Light entry angle, over 130°