Photodiodes InGaAs modules APD

Constructeur: Excelitas Technologies
Réf. HTTS: HTS-OPT-0026
Réf. HTDS: PHOTODIODES INGAAS MODULES APD
Division: Optoélectronique

Galerie et schémas techniques

Photodiodes InGaAs modules APD - Image 1

Description

HTDS propose des modules hybrides comprenant une APD et un amplificateur à transimpédance dans un boitier hermétique. L’intégration de ces éléments dans le même boitier, la proximité entre les différents éléments permet de réduire le bruit de manière générale, qu’il soit lié à l’environnement ou au parasitage d’interconnexion des éléments électroniques. Nous proposons deux modèles C30659 comprenant une APD InGaAs et un amplificateur transimpédance à faible bruit avec des bandes passantes de 50MHz et 200MHz pouvant s’adapter à un large éventail d’application. Les modèles C30659 sont proposés avec l’APD montée sur un refroidisseur thermoélectrique (série LLAM) améliorant ainsi le bruit et maintenant l’APD à température constante. HTDS s’adapte aux spécificités de vos projets en proposant une personnalisation de la série C30659, grâce au choix de la bande passante notamment. De plus, les deux série C30659 et LLAM sont disponibles avec un seuil de dommages plus important pour résister à des fortes densités de puissance optique.

Nos modules APD sont des récepteurs hybrides qui comprennent un photodétecteur et un amplificateur à transimpédance dans le même boitier hermétique.

Sensibilité et performance inégalées pour vos besoins avancés de détection NIR

Caractéristiques

Bande passante : 50 et 200 MHz
Faible bruit
Plage spectrale : 1100-1700 nm
Versions avec seuil de dommage optimisé

Spécifications techniques

Vn:   100kHz
0 C: 0 C
23 C: 23 C
45 C: 45 C
-20 C: -20 C
Model: Nominal Wavelength Detector Detector Active Comments
50 MHz: -6 50 MHz
Vop (V): Vop (V)
naverage: 3dB
Parameter: Min Max Min Max Min Max Units
Telephone: (+1) 450.424.3300 Germany Telephone: +33 (1) 6486 2824 Telephone: (+65) 6775 2022
Toll-free: (+1) 800.775.6786 Telephone: (+49) 611 492 430 [email protected] (Main number)
at 830 nm: 35 55 30 90 fW/Hz
at 900 nm: 40 65 25 80 fW/Hz
at 1064 nm: 50 150 fW/Hz
at 1300 nm: 150 180 250 375 fW/Hz
at 1550 nm: 130 160 220 330 fW/Hz
nnormalize: naverage 
 Si APD: 400 to 1100 nm
Active area: 0.03 0.005 mm²
Références: Détecteur
Detector Type: (C30902EH APD) (C30954EH APD)
Detector type: (C30954EH) (C30902EH) (C30662EH)
LLAM-900-R5BH: 200 MHz 900 nm (peak) C30902EH Silicon 0.5 mm
operating, TA: -40 70 -40 70 -40 70 ˚C
peak (Note 4): 50 50 mW
peak (Note 5): 4 (for-1550) kW/cm²
storage, Tstg: -50 85 -50 85 -50 85 ˚C
LLAM-1060-R8BH: 1064 nm C30954EH 0.8 mm
LLAM-1550-R2AH: C30662
at TA = +70˚C: 600 350 100 V
at TA = -40˚C: 300 210 50 V
 InGaAs APD: 1100 to 1700 nm
Active diameter: 0.2 0.08 mm
Frequency [MHz]: Frequency [MHz]
LLAM-1060E-R8BH: Enhanced damage threshold
LLAM-1500-R08BH: 175 MHz C30645EH 0.08 mm
LLAM-1550-R08BH: C30645
LLAM-1550E-R2AH: C30662
Test conditions: Case temperature = 22˚C, Vamp = ±5 V, HV = Vop (see Note 1), RL = 50 Ω AC coupled and TEC off
C30659-1550-R2AH: C30662
C30659-1550-R5BH: C30645
LLAM-1550E-R08BH: Enhanced damage threshold
Output impedance: 33 40 50 33 40 50 Ω
average (Note 3): 0.1 0.1 2 mW
C30659-1550E-R2AH: C30662
LLAM- 1550E-R08BH: C30645
LLAM-1060(E)-R8BH: LLAM-900-R5BH LLAM-1550(E) Models
www.excelitas.com: Page 9 of 9 LLAM Series-Rev.1.5-2016.11
Bandwidth Response: Type Material Diameter
C30659-1550E-R08BH: C30645
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG International Sales Office Singapore, Pte. Ltd.
Responsivity (kV/W): Responsivity (kV/W)
Imax, rated at 27⁰C: 1.8 1.8 1.8 A
Vmax, rated at 27⁰C: 0.8 0.8 0.8 V
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Excelitas Technologies
the following equation: T[K] = ,where R is the
System bandwidth, f-3dB: 40 50 150 175 MHz
DC output offset voltage: -1 0.25 1 -1 0.25 1 VDC
Preamplifier bias voltage: ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 ±4.5 ±5.5 V
Thermistor value (Note 5): 5.1±5% 5.1±5% kΩ
[email protected]: [email protected] (Customer Service)
supplied with each device.: β
3. 0 dBm with 250ns pulses.: −T0
Qmax, heat-pumping capacity: 0.9 0.9 0.9 W
Negative supply current (V-): 10 20 10 20 mA
Positive supply current (V+): 20 35 20 35 mA
by the typical responsivity.: measured thermistor resistance in Ω, 𝛽 = 3200, R0 = 5100 Ω,
 Typical power consumption: 150 mW
Averaged from 100 kHz to f-3dB: 45 55 20 30 nV/Hz
Vop for specified responsivity: 40 Note 1 70 40 Note 1 70 V
responsivity over temperature.:  High-speed, free-space optical
Normalized output noise voltage: -7
Rf (Internal feedback resistor): 68 15 kΩ
Excelitas’ regular C30950 Series.:  Laser designation
LLAM-900-R5BH responsivity at 900 nm: LLAM-1060/1060E-R8BH responsivity at 1060 nm
Recovery time after overload (Note 3): 150 150 ns
Nominal field of view α (see Figure 8): 140 140 Degrees
APD temperature (case at room temperature): -10 85 -10 85 ⁰C
Nominal field of view α’ (see Figure 8): 141 141
Output voltage swing (1 kΩ load) (Note 4): 2 3 2 3 Vpp
Output voltage swing (50 Ω load) (Note 4): 0.7 0.9 0.7 0.9 Vpp
LLAM-1550/1550E-R08BH responsivity at 1550 nm: LLAM-1550/1550E-R2AH responsivity at 1550 nm
Temperature coefficient of Vop for constant gain: 0.2 0.2 V/˚C
1. A specific value of Vop within the specified range will be: 5. The temperature of the thermistor in Kelvin can be calculated using
2. NEP is calculated as the output spectral noise voltage divided: ln(𝑅/𝑟∞)
greater resilience when exposed to higher optical power densities.:  Hermetically-sealed TO-66 flange
in the same hermetically-sealed modified 12-lead TO-66 flange package for:  Model 1060E and 1550E exhibits
noise GaAs FET front end designed to operate at higher transimpedance than:  Range finding
that a temperature-compensated HV supply be employed to maintain a constant:  Analytical instrumentation
Excelitas Technologies’ LLAM series of Silicon and InGaAs avalanche photodiodes:  High reliability
to insure constant responsivity over a 5⁰C to 40⁰C ambient temperature range.:  RoHS-compliant